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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（上海四大八校是指什么高中，上海市重点高中排名一览表Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年上海四大八校是指什么高中，上海市重点高中排名一览表收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制上海四大八校是指什么高中，上海市重点高中排名一览表，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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