大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业上火了可以吃猕猴桃吗芭芭农场，上火了猕猴桃能吃吗、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数上火了可以吃猕猴桃吗芭芭农场，上火了猕猴桃能吃吗(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 D上火了可以吃猕猴桃吗芭芭农场，上火了猕猴桃能吃吗RAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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