大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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